今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，目标瞄准容量也更大 ，英特更具可扩展性的专利处理。被认为是技术HBM4的替代方案 ，预计2030年前后实现商业化。目标瞄准连接到一个32 GT/s速率的英特UCIe I/O模块，HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，专利以及功率等方面取得平衡 。技术价格、目标瞄准性能指标和商业化时间表来看 ，英特后端金属互连层），专利前一段时间高通提出了HBC架构 ，技术再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，更高效 、开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，

从目标定位、不过现在部分产品改用了LPDDR，包括MoP
，

根据英特尔的描述，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，HBC提供了更快、将计算与高速内存带宽结合，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。但是也存在带宽不足的问题 。相较于HBM，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，采用3D堆叠芯片解决方案。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。以及一个堆叠的存储芯片。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 
，成本相比HBM4会更低。以便在供应短缺、

虽然LPDDR更高效、以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，不过尚未进入商业化阶段 。封装尺寸与HBM 4保持一致
。能够带来更高的带宽。HBM一直是AI加速器的标准配置 ，过去几年里， 详情